Características de avanço do diodo semicondutor

Jan 25, 2021

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A característica direta é a relação entre a tensão e a corrente quando o diodo é polarizado diretamente. Quando a tensão direta aplicada às duas extremidades do diodo é pequena, o campo elétrico externo gerado pela tensão direta não é suficiente para fazer com que o multiton forme um movimento de difusão. Neste momento, o diodo não ligou bem. É normalmente denominado&"zona morta GG" e o díodo é equivalente. Para uma resistência muito grande, a corrente direta é muito pequena.


Quando a tensão direta excede um certo valor, o campo elétrico interno é muito enfraquecido e os multiplicadores formam um movimento de difusão sob a ação do campo elétrico externo. Nesse momento, a corrente direta aumenta rapidamente com o aumento da tensão direta e o diodo é ligado. Essa tensão é chamada de tensão limite (também chamada de tensão limite) e é representada por Vth. À temperatura ambiente, o Vth do tubo de silício é de cerca de 0,5 V e o Vth do tubo de germânio é de cerca de 0,1V.


Uma vez que o diodo é ligado, com o ligeiro aumento na tensão direta, a corrente direta aumentará muito. Neste momento, a resistência do diodo é muito pequena, e pode-se considerar que o diodo possui uma característica de tensão constante. A queda de tensão direta do tubo de silício de diodo é de cerca de 0,6 ~ 0,8 V (geralmente 0,7 V), e o tubo de germânio é de cerca de 0,2 ~ 0,3 V (geralmente 0,2 V).

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